mos是什麼電影的縮寫

『壹』 MOS是什麼意思

MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconctor即金屬-氧化物-半導體。
MOS還是Microsoft Office Specialist的英文開頭字母縮寫，微軟辦公軟體使用的國際認證：國際權威職業化辦公認證，是Certiport這個國際著名的從事計算機應用能力認證的專業機構與Microsoft總部共同推出的微軟辦公軟體的實際運用能力的考核，這是微軟辦公軟體Office專家應用認證，為Microsoft 唯一所認可的Office 軟體國際級的專業認證。

『貳』 MOS是什麼意思

MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconctor即半導體金屬氧化物，它是集成電路中的材料，現在也可指代晶元．MOS內部的結構和二極體、三極體差不多，由P-N結構成，P是正的意思(positive)，N是負的意思(negative).由於正負離子的作用，在MOS內部形成了耗盡層和溝道，耗盡層里的正負離子相互綜合，達到了穩定的狀態，而溝道是電子流通的渠道，耗盡層和溝道一般是相對的耗盡層窄了，溝道就寬了，反之亦然．
MOS的功能和三極體差不多主要是放大電路，MOS可分為HMOS（高密度MOS)和CMOS(互補MOS),兩種合起來又有了CHMOS.

『叄』 MOS是什麼

1有閾值化學物質計算安全邊界比
安全邊界比Margin of Safety（MoS）
人暴露與動物無作用劑量，即MoS=NOAEL(animal）/EXP（human）
MoS>1，無風險；MoS<1，有風險。
2考試認證簡介
Microsoft Office Specialist的英文開頭字母縮寫

『肆』 什麼是mos技術

【摘要】MOS的製作技術已可將數以萬計的電子元件做在一個只有幾個平方毫米的晶片上，此種IC線路並已廣泛地應用在袖診計算器中

電晶體自發明至今已有二十五個年頭了，由於這個劃時代的貢獻，使得電子產品打入整個人類的生活之中成為一種非常大眾化的玩意兒。去年十二月間，美國電子工業界還舉行了一個二十五周年紀念大會以慶祝這個利用固態物質取代真空管的偉大貢獻。回顧半導體電子零件的發展史，我們發現一直到一九六○年，電子儀器依然是用像鉛筆上橡皮擦那樣大小（或更大）的電晶體一個一個連接起來的，而且每個電晶體的平均價格高達美金一元。一九六○年後期，科學家開始設計各種不同的方法在矽的單晶片（single crystal wafer）上做成部份或整套的電子線路，這就是大家所熟知的積體電路（Integrated Circuit）一般習穩IC。早期的積體電路在大約若干毫米平方的晶片上只能包含約一打左右的電子元件，但是今日大量生產的積體電路上已含有約三千個電子元件，而且其中大部份是電晶體，目前已有某些高級積體電路內擁有電晶體等元件達一萬個之多，我們似乎可以預期在一九八○年代裡將會有包含上百萬電晶體元件的積體電路出現〔注一〕。

傳統的電晶體我們稱之為雙極電晶體（bipolar transistor），由於此種電晶體生產程序上的先天限制，使得我們很難在一個晶片上制出元件密度很高的積體電路出來，因此目前所謂的LSI（Large Scale Integration大型積體）都是用MOS方法製造的，所謂MOS乃是Metal Oxide Semiconctor諸英文字的縮寫（參考圖四），利用此種技術可以把積體電路做得更小且其包含的元件更多。而且在製造的程序上MOS的製作也要比製造傳統電晶體簡單。我們都知道一個產品要能在市場上競爭，不外乎品質優異，價格低廉， MOS的製作程序簡單故成本較低。一個擁有200個電晶體的LSI上每個電晶體的平均價格只有美金一分而已，而且一般咸信在十年中每個電晶體的平均價格可以再降低30倍之譜，那時每個電晶體的價格將和書面上的燙金字一樣的便宜（參考圖三）。除此而外，積體電路信賴度（reliability）的增加，體積和重量的減少也是使積體電路受到普遍重視與喜好的原因之一，當然這些原因較諸成本的降低就顯得無足輕重了。

要使成本降低，只有大量生產，積體電路的製造即采大量生產的方式。一般的方法是同時把許多晶片經過一系列的化學及冶金處理，繼以照相腐刻（phtolithography），擴散（diffusion）等程序，在每個晶片上往往可制出數百個積體電路。但盡管科學家想盡辦法使每個晶片保持均勻相同的性質，甚至在每個制周程序上都注意這個問題，晶片的性質總是無法保持一定的規格，每個晶片上往往又會有許多缺陷（defect）及差排（dislocation），或在晶片表面上附有某些不需要的物質；更由於積體電路中的精度是以微米（10-4cm）為單位的，因此一個肉眼都看不見的缺陷往往破壞了整個積體電路的特性，所以上述大量生產出來的IC在經過品質檢驗時往往會有部份被淘汰掉，因此在IC的製造上會有所謂的「成功率」（yield）問題。一個高級的IC在生產的初期其成功率往往是很低的，但從摸索實驗的經驗中，成功率往往能很快的被提高。近年來由於精密測量及控制儀器方面的改進，已使IC製造程序獲得很好的改善；也因此科學家乃能製造更復雜的積體電路。當然積體電路作得越復雜密集，其成功率也相對的越低，因此除非製造程序上有個很大的突破，否則成本的降低總會達到某個極限的。

電晶體的起源

在MOS積體電路上的電晶體是一種利用場效應（field effect）操作的場效電晶體，一般簡稱FET（Field Effect Transistor），其操作原理是在垂直於晶片表面的方向上加一電場來控制源極（source）與曳極（drain）之間的電導（conctance）。其實這個效應早在一九三○年即由李利費爾德（Julius, Edgar Lilienfeld）所發現（他在一九三五年取得場效應元件的專利權），但由於那時候晶體表面及薄膜（thin film）方面的物理知識相當缺乏，所以場效應的元件無法製成，而且那時期由於大部份科學家都致力於真空管方面的研究發展，場效應方面的理論也一直乏人去加以深入探討。

大概在一九三○年末，有一位在貝爾實驗室工作的年輕物理學家薛克利（William B. Shockley）對於利用固態物質來製造電子元件的可能性發生很大的興趣，當初他致力於發展一種固態電子元件作為電話與電話間的交換系統以取代傳統的電動機械開關（electomechanical switch）。薛克利及一些先進人士均深信電話開關在不久的將來會被大量需要，如果仍用真空管的話那將是非常不經濟的，而且真空管的信賴度又很低。薛克利在薛基（Walter Schottky）所研究的金屬與半導體界面的整流（交流變直流）現象的文章中發現我們可以利用半導體中空間電荷區（space charge region）〔注二〕，寬度的改變來放大信號（參考圖二）。他深信利用此層空間電荷區可以像開關閥一樣控制半導體內的電導而收到控制二極間電流大小的效果，這和真空管利用柵極的電壓來控制二極間電流的原理非常相似。在一九三九年時，薛克利就曾想利用銅和氧化銅來試制此種電子元件，但是不幸沒有成功。

二次大戰後，薛克利再度回到貝爾實驗室工作，他和巴定（John Bardeen）、卜勒登（Walter H Brattain）〔注三〕二人開始研究鍺（Ge）半導體中的場效放大作用（因當時鍺的物理性質遠較氧化銅了解）。他們對半導體表面接點（surface contact）及空間帶電區的研究終於1947年發明了「點觸電晶體」（point contact transistor），雖然此種點觸電晶體無法大量生產，但無論如何他們證實了利用半導體制電子元件的構想，剩下的似乎只是技術上的問題而已。果然在1948年「接面電晶體」（junction transistor）就被製造出來了。接面電晶體或稱雙極電晶體共有二個接面（junction）；這二個接面把半導體分為三個區域分別稱為射極（emitter），基極（base）及集極（collector），從射極流向集極的電流可以用基極的微小訊號來控制，因此有訊號放大的作用。

雖然電晶體的發明使科學界興奮了一陣子，但在薛克利的領導下，貝爾實驗室的科學家對場效應的興趣並未絲毫降低。1948年皮爾遜（Gerald L. Pearson）和薛克利在矽晶片的pn接面（p-n juncticn）〔注四〕中發現場效應現象，1952年薛克利發表了場效電晶體的理論。就在次年（1953）場效電晶體由戴斯（George C. Dacey）和露斯（M. Ross）二位設計出來了，但那時的場效電晶體是利用電場來控制 Ge 中的導電現象。由於它的價格相當昂貴，而且其較一般電晶體的優點有限，所以只在一些特殊場合中才應用此種場效電晶體。

科學家發現矽對溫度具有較高的穩定性，而且在製造上也較易控制，所以其成本較低。大約在1950年以後，Si即逐漸取代Ge作為電晶體的材料。科學家對矽晶體表面的研究進步相當神速，元件的製造技術也是日新月異；因此矽與二氧化矽的界面現象也逐漸被了解並能被控制，製造出來的電子元件其穩定度也越來越高。1960年貝爾實驗室的江（Dawon Kahung）及艾特拉（John Atalla）用一個絕緣的電極（他們稱之為閘（gate））在p－n接面之間引發一個導電的通道（channel）而來控制晶體中的導電狀況。根據這個構想，場效應電晶體（FET）終於在二年後由RCA（美國無線電公司）的赫富斯頓（Stephen R. Hofstein）及海曼（Frederick P. Heiman）設計出來。其構造是在矽晶片上不同的二個地方引入n型或p型雜質做為源極和曳極，二極之間的晶片上再長一層二氧化矽的絕緣物，然後在SiO2上鍍上一層金屬作為閘極。從縱剖面來看，其構造是金屬—氧化層—半導體，因此稱為MOS電晶體（Metal－Oxide－Semiconctor transistor）。

我們以n型半導體為例來說明MOS的操作原理。當在源極與曳極之間賦予一個電壓時，二者之間導電的良好與否可由通道上電荷的多少來決定，而通道中之電荷可由閘極的電壓來引發（ince）。從電磁學的知識，我們都知道若在閘極上賦予一些電荷則在閘極下的半導體會引發一些符號相反的電荷，這些電荷即可構成所謂的通道，此通道的寬度（亦即所引發電荷的多少）與閘極的電壓成比例，因此我們可以用閘極的電壓來控制流經源極與曳極之間電流的大小。實際上若閘極上所加的電壓未超過所謂臨限電壓（threshold voltage）時，源極與曳極之間的電導仍然很小，但一旦超過臨限電壓後，則其電導乃急驟增加，因此二者之間的電流乃急驟增加。N型半導體上閘極的電壓是負的，故所引發的電荷是正的〔注五〕，這種通道稱為p－通道加強型電晶體（p－channel enhancement transistor）；若半導體是p型而且其源極與曳極是n型，則閘極上的電壓應該用正的，而且引發出來的電荷是負的，此時的電晶體則稱n－通道加強型電晶體（n－channel enhancement transistor）。還有一種 FET其構造與上述大致相同，唯當閘極電壓為零時源極與曳極之間已存在一個帶電通道（此通道的電荷與源極及曳極者相同）。當閘極加以一個電壓時反而使通道內的電荷減少（例如原來是n－通道，加上一個負電壓後由於電場作用使通道內電子數減少），因此二極間的電流在閘極電壓為零時最大，電壓增加電流反而減小，此種電晶體由其通道電荷的不同分別稱為n－通道空乏型電晶體及p－通道空乏型電晶體（n－channel depletion transistor and p－channel depletion transistor），但在實際應用上由於加強型FET具有較大的可塑性，因此在線路上大多是用加強型FET。

MOS電晶體

前面我們曾說過MOS電晶體在製造程序上遠較傳統的電晶體簡單。因此若製造MOS的積體電路當然要比用老式電晶體積體電路簡單省事得多。就拿一般的反相器（inverter）來說吧，如果用接面電晶體的話需要四個不同的擴散步驟並要用六套面幕〔註：面幕之作用可參閱科月四卷十月號離子深植技術一文〕，但若用MOS電晶體的話則只要一次擴散步驟及五套面幕即可。正因為上述的優點加上成本低廉，使得1960年以來MOS方面的研究受到普遍的重視。科學家花了好幾年的時間去研究並解決矽晶片與氧化矽界面間的不穩定問題及氧化矽本身的特性。過去六年來，MOS積體電路已經從完全沒有的狀況到今年總值二億五仟萬美元的四千八百萬個積體電路，預期今年用雙極電晶體的積體電路大概有四億個之多，（總值七億二千萬美元），讀者可以由上面的數字發現MOS積體電路的成長速率是相當驚人的。

MOS和真空管一樣用電壓來控制電流的大小，並且有很高的輸入阻抗（input impedence），其輸出與輸入之比也相當的線性（linear），但接面電晶體乃是利用電流來控制的，因此其特性不若MOS那般線性，而且其輸入阻抗也遠較MOS小。其次MOS不論在導電狀況或不導電狀況其所消耗的能量都遠較接面電晶體小。但是到目前為止，我們所製造出來的MOS電晶體其運作速率沒有一般的電晶體快，然而這個速率上的差異主要是由於MOS的製造技術尚未成熟所致，而不是MOS本身在理論上受到什麼限制。依目前的情況來說，由於二者各有利弊，因此設計儀器的工程師往往會為二者的取捨猶豫不決，但筆者個人深信在七十年代的末期在數位電子線路中MOS勢必會佔一個較重要的角色。

目前有數以百計的各型MOS積體電路被應用在桌上型電子計算器（desk calculator）及各種電子設備中，包括最簡單的邏輯線路到含有記憶單元及邏輯的積體電路。除了需要高速率的電子計算機以外，幾乎所有新的電子設備內中都多多少少有些MOS線路在內。

MOS計算器

MOS在商業上的最大應用大概要推桌上型計算器（desk calculator）及袖珍型計算器（pocket calculator）了。在 MOS沒有被應用以前，桌上型計算器大都用電動機械零件所設計而成，因此每個計算器的成本大概在美金五百元到一千元之間。後來雙極電晶體的積體電路應世後，品質方面當然改進了不少，但若以所化的成本而論，這種改進並不很大。但到1969年時，我們已能把計算器中所有的計算單元設計在若乾片積體電路上了，再只三年的功夫，現在我們已可把整個復雜的計算器線路設計在一片MOS的積體電路上（參考圖四）。利用此種MOS積體電路使得計算器的成本大大的降低，現在一個高效率的計算器只要化50～200元美金就可買到，可以深信在不久的將來此種計算器的價格將更便宜，品質將更好。

雖然由於MOS的運作速率不夠快，因此尚無法應用在大計算機的中央處理系統內，但MOS積體電路的價格越來越低，目前已可和磁圈記憶器相競爭，相信將來計算機中的記憶單元均將為MOS取代。目前MOS中每個數元（bit）的價格大約是0.8分美元。最近又用MOS制出隨意出入記憶器（random access memory），其價格與磁圈記憶器相當，而其優點是所需要的電源較小，而且產生出來的熱量也很少，因此設計計算機時可以把記憶器中記憶單元的密度設計得很高。另外用磁圈作記憶器時需要一種高品質的線，為了節省起見這種高品質的線往往由所有的磁圈共用，無形中限制了計算機的功能。但是用MOS 記憶器時由於其取存資料可用積體電路取代，所以計算機的設計者可以自由安排其記憶器，使整個計算機有更好的效率，而不必顧慮成本問題。雖然生產磁圈記憶器的廠商正在努力和MOS記憶器競爭，但我深信，MOS取代磁圈記憶器只是時間的問題而已了。

何謂PMOS，NMOS，及CMOS

回顧半導體技術的發展史，我們可以看到由於對半導體材料，結構以及線路方面的高度研究發展，整個半導體的技術一直在改進中。在MOS這方面，其應用所及的范圍已相當廣泛，但猶在擴大中。最早在市場上的MOS積體電路是p一通道加強型（PMOS），目前此種型式的MOS約占所有MOS 積體電路的80％，這大概是PMOS的生產程序較易被控制的原因吧！但是現在的科技已經可以製造別種類型的MOS，例如NMOS（n－通道加強型MOS）及NMOS與PMOS合起來應用的CMOS（Complementary MOS）。由於電子較電洞（hole）更易移動，所以NMOS的運作速率要比PMOS快約2～3倍，因此在有些速率因素比較重要的部份採用NMOS以使整個積體電路得到最佳效果。

CMOS目前正受到廣泛的重視，而且很可能變成所有元件中最重要者。把n通道和p通道二個組合在一起的線路可能是目前所有積體電路中最好的一種。最簡單的CMOS線路是一個反相器（參閱圖五），它是由PMOS和NMOS串聯在一起組成的，目前此種線路是所有半導體元件中消耗功率最少的，把這種反相器線路做適當組合，我們可以設計出許多有用而消耗功率很小的線路。例如一個常被用為計時的十四階二進位計數器（14－stagebinary counter），在5伏特電壓時只消耗2.5微瓦（10-6瓦特）的能量，大概只有用PMOS或雙極電晶體積體電路時的十萬分之一，這在一些電源很有限的儀器上真是太重要了，任何一個以電池為電源的裝置都該考慮使用CMOS。

PMOS和NMOS也可以用並聯的方法接在一起以構成傳遞開關（transmission switch），此種開關可雙方向的通過數位信號（digital signals）或類比信號（analogue signals）。理論上此種線路也可以用NPN和PNP電晶體組合得到，但這種線路非常不經濟，而且用低廉的CMOS還有一個好處是可以把雜音去掉，因此在雜音信號很強的地方更應該使用CMOS。線路設計者發現我們可以用反相器線路和傳遞開關線路適當組合而得到我們所需要的任何邏輯線路及開關線路。

積體電路——尤其是CMOS——在商業上一個很大的應用是製造電子表或電子鍾，此種電子鍾表的准確度非任何機械鍾表所能及。它是利用電子計數線路將一種石英的天然振動頻率分成好幾種電子信號並以之驅動鍾表上的針，或甚至將這些信號直接接到液晶（liqguid crystal）、發光二極體（light emitting diode）之類的電光數位元件（electro-optic digital device）上。這樣我們可以從指示數字中直接得知時間，看來這種價廉物美的電子表勢必會改變整個的鍾表工業了。

在理論上，MOS的運作速率應該只和電荷載子（charge carrier）的能動度（mobility）及載子所經過的距離有關，那麼其運作速率應該和最快的電晶體差不多才是。但是目前我們所做出來的MOS其運作速率遠較雙極式電晶體慢，這又是什麼原因呢？理論上既然沒有限制，那麼一定是構造上的問題，原來我們在做源極和曳極擴散時往往會在源極、曳極及矽晶體座（substrate）之間形成一個相當大的電容，就由於這些電容使整個MOS的運作速率慢了下來，現在科學家正在利用各種方法來減少這些電容以增加速率，可以相信未來的MOS積體電路的運作速率必能大大的提高。

何謂SOS

在MOS的製造程序及運作原理中（參考圖二，六），我們可以發現真正使用到的矽晶片只是表面一層，矽晶片實在不需要這麼厚，但是太薄的矽晶片太碎根本無法操作，因此科學家們想到另一種方法，那就是設法在人造的藍寶石上鍍上一層矽的單晶薄膜（大約10-4cm厚），然後在這層薄膜上做MOS的結構。實驗發現用此種結構，源極和曳極的電壓均較用矽晶片者降低了約20倍。而且我們可以用化學方法將電晶體之間的矽單晶薄膜腐蝕掉而收到隔離的效果，然後我們蒸鍍（evaporation）金屬上去使電晶體與電晶體能連接構成我們所需要的線路。在這里我要特別指出來的是金屬大部份是鍍在藍寶石上，不像以前的MOS是鍍在矽晶片上，因此不會有額外的電容。這種在藍寶石上鍍上一層矽單晶薄膜制出來的元件我們稱為SOS，是從英文字母Silicon on Sapphire中縮寫而來。目前此種SOS積體電路由於技術上尚未成熟，故其成本仍相當高，因此只有在某些特殊的場合中才用到。

結語

MOS除了可以成功地做為一個場效電晶體外，我們尚可利用閘極與矽體座之間的二氧化矽做為電容之用。電容可以儲存電荷，若我們把這些MOS電容適當排列，則利用時鍾脈沖信號（clock pulse signal）來控制電荷從一個電容上轉移到另一個電容上，利用此種原理我們可以用 MOS 做資料處理系統所用的移位記錄器（shift register）。此外 MOS 電容也可以用作感光原件，當光照到此種元件時會產生電荷載子，這種載子即被儲存在MOS 電容中，以後當有一列時鍾脈沖信號輸入時，我們可以把前面這些因光而產生的信號讀出來（read out）。目前已製成的一種電視攝影機，其體積只有手掌一般大而其重量尚則不及一磅，就是利用此種元件製成的。此種MOS感光元件尚可應用在慢描電視（slow-scan television），高度傳真等一些需要高鑒別率（resolution）的儀器上。我們可以想像此種元件將來在工業上或其他娛樂消費上應用的遠景。

回顧MOS的發展史，其理論很早就被科學家推演出來，但真正MOS元件大量應市卻是最近幾年的事，可見一個聽起來很合理的構想往往是要賴科學技術來將之實現的。我們能不埋首科技研究以期迎頭趕上別人嗎？譯者期與青年朋友共勉之。

原文譯自「Scientific American.」

1973年8月號

注一：配合離子深植技術的發展及晶體品質的改良，此種積體電路似乎是指日可待的。（請參閱科學月刊第四卷第十期）

注二：讓我們以N型矽晶來說明此種現象，當金屬與半導體接觸在一起時，靠近界面的N型晶體內的電子會被排斥，因此在界面附近會有一個帶正電的離子區域，我們稱之為空間電荷區（space charge region）。

注三：薛克利，巴定和卜勒登三人即因發明電晶體而獲得1956年諾貝爾物理獎。其中卜勒登曾於去年九月間來華訪問。

注四：N型晶體和P型晶體接合在一起所形成接面稱為PN接面，但在實際的製造上是用擴散或離子深植技術在N型（或P型）的原晶體內滲入三價（或五價）的原子以形成此種接面。

注五：在半導體學中此種正電荷稱為「電洞」（hole），因為其實際上是由於晶體構造的鍵上缺少一個電子形成的，此種電洞又很容易從其他鍵上奪取電子過來而產生電子的流動，此等電子流可以看成電洞的流動，唯其方向和電子流動方向相反。讀者應注意的是此種帶正電的電洞與前面空間電荷間的正電荷完全不同，空間電荷區中的正電荷是由離子產生的，是固定而不可移動的，但電洞則可以因所加之電場而流動產生電流。

『伍』 mos是什麼意思

以金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應晶體管為主要元件構成的集成電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩定性，MOSIC得到迅速發展。與雙極型集成電路相比，MOSIC具有以下優點：①製造結構簡單，隔離方便。②電路尺寸小、功耗低適於高密度集成。③MOS管為雙向器件，設計靈活性高。④具有動態工作獨特的能力。⑤溫度特性好。其缺點是速度較低、驅動能力較弱。一般認為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數字和模擬電路。
按晶體管的溝道導電類型，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS晶體管結合成一個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS集成電路。隨著工藝技術的發展，CMOS集成電路已成為集成電路的主流，工藝也日趨完善和復雜 ，由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。80年代又出現了集雙極型電路和互補金 屬-氧化物-半導體（CMOS）電路優點的BiCMOS集成電路結構。按柵極材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進入亞微米（0.5～1微米）和強亞微米（0.5微米以下）量級 。此外，還發展了不同的MOS集成電路結構的MOSIC：如浮柵雪崩注入MOS（FAMOS）結構，用於可擦寫只讀存貯器；擴散自對准MOS（DMOS）結構和V型槽MOS結構等，可滿足高速、高電壓要求。近年來發展了以藍寶石為絕緣襯底的CMOS結構，具有抗輻照、功耗低和速度快等優點。MOSIC廣泛用於計算機、通信、機電儀器、家電自動化、航空航天等領域，可使整機體積縮小、工作速度快、功能復雜、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

『陸』 tts中的mos是什麼縮寫

場效應管的縮寫。
MOS管一般又叫場效應管，與二極體和三極體不同，二極體只能通過正向電流，反向截止，不能控制，三極體通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的。
MOS，是MOSFET的縮寫，MOSFET金屬氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕絕緣體(insulator)—半導體。

『柒』 MOSMOS是什麼

它就是Microsoft Office Specialist的英文開頭字母縮寫~！微軟公司辦公軟體使用的國際認證：國際權威職業化辦公認證~！

『捌』 有人知道MOS鏡頭是什麼嗎中文名是什麼有什麼用

你說的是一種電影鏡頭還是相機鏡頭？MOS如果指電影鏡頭是指不錄入對白或別的聲音的鏡頭。如果是相機鏡頭貌似是指影像感應器的一種類型，不是特別懂了，是不是CMos呀？那就好說了，一搜就能找到。

『玖』 拍電影的時候要打板，這是為什麼呢

首先是回答問題：為什麼要用場記板？

第一個也是最顯而易見的作用就是場記板可以用來記錄所錄影像的一些元數據。比如這條視頻是哪個場景，哪個鏡頭，有沒有同時錄制聲音等等，這就是場記板上要寫的那些內容。這些內容對於後期製作是極其重要的。有了這些元數據，拍攝的素材才得以系統地整理起來以減少錯誤和提高效率。